－低Rds(on)可實現在導通狀態下的低功率損失
－低Qg可實現低驅動功率損失
－低Qgd可實現低轉換功率損失
這一整套完美的熱幅射變化實驗證明，對於持續的技術發展有很大的貢獻。瑞薩不斷地創新技術，除了證明瑞薩低壓Power MOSFETs為低功率損失規格，我們也持續開發最先進的小型低功率損失MOSFETs。
Power MOSFET低Rds(on)趨勢
Power MOSFET Qg 趨勢
Power MOSFET Qgd 趨勢
瑞薩多元化的産品線涵蓋範圍廣泛，包含了目前所有的電壓等級，除了從低電壓到高電壓的所有應用産品設備應有盡有，並且支援更精巧且更有效能的電源供應。
新産品線系列 WPAK
第10代 WPAK 系列産品
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